Cod Proiect: PN-II-RU-TE-2014-4-1122

Director Proiect: Dr. Cristina Besleaga Stan

Tip Proiect: National

Programul de incadrare al Proiectului:  RESURSE UMANE, Tinere Echipe

Finantat de: Unitatea Executiva pentru Finantarea Invatamantului Superior, a Cercetarii, Dezvoltarii si Inovarii, UEFISCDI

Contractor: Institutul National C-D pentru Fizica Materialelor

Status: Finalizat

Data Inceperii: 1 Octobrie, 2015

Data Finalizarii: 30 September, 2017

 

 

Rezumatul proiectului:

Proiectul are ca obiectiv fabricarea tranzistorilor transparenti cu efect de camp pe baza de nitrura de aluminiu cu performante superioare. Desi nitrura de aluminu este un material extrem de promitator pentru acest tip de aplicatii, folosirea sa ca dielectric de poarta in tranzistorii transparenti va reprezinta o noutate absoluta pe plan international. Astfel, prin implementarea sa, acest proiect va putea contribui semnificativ la dezvoltarea electronicii transparente. Proiectul propus va imprima, prin complexitatea si fluiditatea activitatilor sale de cercetare, trecerea de la obtinerea de materiale si caracterizarea lor multiparametrica in vederea optimizarii proprietatilor, la fabricarea de dispozitive performante atat pe suport rigid cat si flexibil. In cadrul propunerii de proiect sunt incluse multiple solutii de optimizare a tranzistorilor (testare de noi geometrii, tratamente termice, solutii variate de incapsulare), astfel incat produsele finite sa detina atat proprietati functionale superioare tranzistorilor folositi astazi in electronica transparenta, cat si costuri de productie mai atractive. Nu in ultimul rand, acest proiect reprezinta o oportunitate majora pentru ca tanara echipa de proiect sa formeze un nucleu stiintific puternic, care, prin utilizarea infrastructurii complexe a institutiei gazda, va deveni capabil sa genereze progrese in domeniul de mare interes al micro-nano-electronicii, atat pe plan national cat si pe cel international.

 

Obiectivele proiectului:

 

Obiectivul General: dezvoltarea unei tehnologii de fabricatie TTFT pe substrat rigid de sticla si flexibil  (polietilentereftalat - PET) bazat pe sistemul AlN-IGZO, avand performante superioare si cost de fabricatie mic.

In acest scop propunem urmatoarele

Obiective Specifice:

O1. Fabricarea TFT si gasirea conditiilor optime de tratament post-fabricare a dispozitivelor;

O2. Determinarea defectelor electric active din volumul IGZO si de la interfata AlN/IGZO;

O3. Optimizarea geometriei dispozitivului;

O4. Stabilirea procesului optim de incapsulare a TTFT pe baza de AlN;

O5. Cristalizarea unei echipe formate din tineri cercetatori cu abilitati tehnice si stiintifice complementare, capabila sa indeplineasca obiectivele fixate ale proiectului;

O6. Diseminarea rezultatelor stiintifice (in jurnale ISI internationale) si redactarea unui brevet de inventie.

  • Cristina BESLEAGA STAN (ResearcherID: G-5179-2012) – Director de proiect;
  • Liliana-Marinela TRÎNCĂ (ResearcherID: E-7100-2014 – Membru in echipa de cercetare;
  • Roxana RADU (ResearcherID: A-9581-2014) – Membru in echipa de cercetare;
  • George STAN (ResearcherID: B-5690-2011) – Membru in echipa de cercetare;
  • Andrei Gabriel TOMULESCU – Membru in echipa de cercetare;;
  • Ioana PINTILIE (ResearcherID: C-4545-2011) – Membru in echipa de cercetare;
  • Aurelian-Catalin GALCA (ResearcherID: C-7386-2009) – Membru in echipa de cercetare;
  • Lucian Dragos FILIP (ResearcherID: B-7059-2011) – Membru in echipa de cercetare.
  • 2015:RAPORT STIINTIFIC SINTETIC nr. 1 in format *.pdf disponibil la cerere la UEFISCDI;
  • 2016:RAPORT STIINTIFIC SINTETIC INTERMEDIAR in format *.pdf disponibil la cerere la UEFISCDI;
  • 2017: RAPORT STIINTIFIC FINAL in format *.pdf disponibil la cerere la UEFISCDI.

Articole publicate in jurnale cotate Web of Science®:

  • C. Besleaga, G.E. Stan, I. Pintilie, P. Barquinha, E. Fortunato, R. Martins, Transparent field-effect transistors based on AlN-gate dielectric and IGZO-channel semiconductor, APPL SURF SCI 379 (2016) 270.
  • L.M. Trinca, C. Besleaga, V. Stancu, R. Radu, A. Iuga, A.G. Boni, A.C. Galca, L. Pintilie, Temperature influence on the capacitance-voltage hysteresis of transparent a-IGZO/PZT/FTO MFS-heterostructure, ROM REP PHYS 69 (2017) 506.
  • C. Besleaga, V. Dumitru, L.M. Trinca, A.C. Popa, C.C. Negrila, Ł. Kołodziejczyk, C.R. Luculescu, G.C. Ionescu, R.G. Ripeanu, A. Vladescu, G.E. Stan, Mechanical, corrosion and biological properties of room-temperature sputtered aluminum nitride films with dissimilar nanostructure, NANOMATERIALS 7 (2017) 394.

Cerere brevet:

"Dispozitiv pentru monitorizarea respirației"

Invenția se referă la un dispozitiv electronic pentru monitorizarea respirației. Dispozitivul electronic este un tranzistor cu filme subțiri pe bază de IGZO care detectează respirația când este plasat în calea aerului expirat de la o distanță de cațiva cm. Aerul expirat, încărcat cu vapori de apa, influențează curenții de drenă și de poartă prin tranzistor. Variația curenților prin tranzistor este utilizată pentru monitorizarea respirației. Tranzistorul poate fi operat ca senzor de respirație cu un consum foarte mic de putere electrică, ceea ce il face foarte potrivit pentru utilizarea ca dispozitiv portabil.

CRISTINA BESLEAGA STAN, Doctor in Fizica

Cercetator stiintific gradul III

Departament: Laboratorul de Materiale si Structuri Multifunctionale