Fotodetectori cu nanocristale de GeSn in matrice de Si3N4 cu fotosensibilitate ridicata in intervalul 0.5 – 2.4 µm (GeSnPhotoSiNdet)


Project Director: Dr. Ionel STAVARACHE
ID-ul Proiectului: cod PN-III-P1-1.1-TE-2021-1491
Director de Proiect: Dr. Ionel Stavarache
Tipul proiectului: National
Programul de incadrare al proiectului: Programul 1 - Dezvoltarea sistemului național de cercetare-dezvoltare;
Finantare: Unitatea Executiva pentru Finantarea Invatamantului Superior, a Cercetarii, Dezvoltarii si Inovarii - UEFISCDI
Contractor: INSTITUTUL NATIONAL DE CERCETARE - DEZVOLTARE PENTRU FIZICA MATERIALELOR
Numar contract: TE 71 / 2022
Status: In progress
Data de inceput: 15 Mai 2022
Data finalizarii: 14 Mai 2024

Scopul proiectului este de a fabrica un demonstrator pentru dispozitive de fotodetectori cu GeSn nps (top contact/GeSn-nps:Si3N4/Si sau cuarț/contact de spate), având parametri vizați: raport fotocurent/curent de întuneric cel putin 2 ordine de marime, timp de raspuns mic:µs, domeniu spectral extins pana la 2.4µm, responsivitate ridicata si detectivitate buna. Propunem o abordare nouă și originală utilizand un strat activ care oferă o limită spectrală în SWIR datorită proprietăților Si3N4 de a induce o tensiune de intindere în film. Aceasta se obtine prin co-depunere sau depunere multistrat de diferite rapoarte și compozitii de GeSn în Si3N4. Obiective: O1. Depunerea prin MS a structurii GeSn-ncs:Si3N4/Si sau cuarț, prin diferite abordări noi. Pentru aceasta, parametrii critici de depunere (puterea pe tinte, presiunea de lucru, flux de gaz sau temperatura substratului) vor fi reglati fin pentru a fi optimizati; O2. Formarea de GeSn-ncs în matrice de Si3N4 cu morfologie controlată (dimensiune, uniformitate și densitate); O3. Dezvoltarea probelor test cu proprietati fotoconductive controlate de morfologie, complet caracterizate; O4. Obținerea demonstratorului pentru dispozitive de fotodetector cu parametri de fotodetector vizati, testat în conformitate cu TRL3. Diseminare: 1 aplicatie brevet, 3 articole ISI, 2 conferințe si pagina web.

Dr. Ionel Stavarache

Dr. Ana-Maria Lepadatu

Dr. Catalin Palade

Dr. Ioana-Maria Avram Dascalescu

Dr. Adrian Slav

Drd. Mihalcea Catalina-Gabriela

Dr. Catalin Negrila

Drd. Ovidiu Cojocaru

1) Extended near infrared photo-response influenced by host matrix change in Ge nanoparticle-based films, I. Stavarache, C. Palade, A. Slav, P. Prepelita, V. S. Teodorescu, M. L. Ciurea, 45th Edition of International Semiconductor Conference (CAS), pp. 231-234, 2022 October 12-14, Sinaia, Romania; IEEE Catalog Number: CFP22CAS-USB;
ISBN: 978-1-6654-5253-3

Dr. Ionel Stavarache

Institutul National de Cercetare-Dezvoltare pentru Fizica Materialelor

Magurele, Ilfov, PO BOX MG-7, 077125

e-mail: stavarache@infim.ro

Romania


PROJECTS/ PROIECTE NATIONALE


Back to top

Copyright © 2022 National Institute of Materials Physics. All Rights Reserved