Studiul efectelor induse de defecte si impuritati asupra proprietatilor optice, electrice si electronice ale semicondutorilor cu banda interzisa larga


Project Director: Dr. Aurelian Catalin Galca

ID-ul Proiectului:

PN-II-RU-TE-2011-3-0016 Contract Nr. 19/05.10.2011

Director de Proiect:

Dr. Aurelian-Catalin Galca

Tipul proiectului:

National

Programul de incadrare al proiectului:

Resurse Umane, TE

Finantare:

Unitatea Executiva pentru Finantarea Invatamantului Superior, a Cercetarii, Dezvoltarii si Inovarii, UEFISCDI

Contractor:

Institutul National de Cercetare Dezvoltare pentru Fizica Materialelor

Status:

Finished

Data de inceput:

Saturday, 1 October, 2011

Data finalizarii:

Wednesday, 1 October, 2014

Rezumatul Proiectului:

Scopul acestui proiect este analiza semiconductorilor cu banda larga sub forma de filme subtiri, utilizand tehnici de caracterizare nedistructive: elipsometrie, difractie de unde Rontgen si luminescenta. Aceste materiale sunt dovedite sau sunt privite ca materiale utile pentru aplicatii in optica si/sau electronica. Filmele subtiri de semiconductori cu banda interzisa larga vor fi obtinute prin diferite metode de crestere a filmelor subtiri: depunere cu ajutorul laserului pulsat, pulverizare in magnetron, depunere din solutii coloidale. Influenta defectelor si impuritatilor asupra proprietatilor optice, electrice si electronice va fi studiata.

Rezultatele obtinute cu tehnicile optice mai sus amintite vor fi verificate prin masuratori electrice conventionale si/sau analize structurale de microscopie electronica.

Proiectul este focalizat pe 3 tipuri de semiconductori cu banda larga: oxid de zinc (ZnO) pur sau dopat cu alte elemente; nitrura de zinc (Zn3N2) si fazele intermediare din timpul oxidarii controlate; Nitruri de aluminiu si indiu (AlxIn1-xN) pur sau dopat cu Zn.

Unul dintre obiectivul proiectului este cresterea si caracterizarea semiconductorilor de tip n si p cu proprietati reproductibile. Rezultatele estimate vor aduce contributii noi si originale cu privire la fenomenele fizice care descriu procesul de crestere si proprietatile materialelor. In plus, activitati deosebite vor fi incluse cum ar fi corelarea dintre cunoasterea fundamentala si necesitatile practice sin domeniul electronicii, cat si standardizarea cresterii de filme subtiri la temperaturi sub 200oC.

Obiectivele proiectului:

Obiectivele proiectului sunt:
1) Obtinerea de filme subtiri cu potential de integrare in diferite dispozitive.
2) Descrierea si explicarea din punct de vedere fundamental a proprietatilor structurale, optice si electrice a filmelor subtiri obtinute.

Rezultatele estimate ale proiectului  sunt cuantificate in articole stiintifice in reviste cu factor mare de impact ISI (Appl. Phys. Lett., J. Colloid Interf. Sci) si in reviste dedicate cu un factor de impact ISI  mai scazut (Thin Solid Films. J. Appl. Phys., Appl. Surf. Sci.).
Numarul de publicatii final nu poate fi prevazut, dar suntem increzatori in capacitatea noastra de a dezvolta si publica cel putin 3 (trei) astfel de studii.

rolul in cadrul proiectuluidomeniul de expertiza principal
dr. Aurelian-Catalin Galcadirector de proiect / CS IIIelipsometrie
dr. George Stantanar cercetator / cercetator cu experienta / CS IIIpulverizare in magnetron
dr. Lucian Filiptanar cercetator / cercetator cu experienta / CS IIIsimulari
dr. Cristina  Florentina Chirila (Dragoi)tanar cercetator / ACSdepunere cu ajutorul laserului pulsat
dr. Viorica Stancutanar cercetator / cercetator cu experienta / CS IIIdepuneri 'umede'
Cristina Besleaga Stantanar cercetator (doctorand) / ACScaracterizari electrice
Liliana Marinela Trincatanar cercetator (pregatire pentru doctorat) / ACSdepuneri 'umede'; preparare tinte
dr. Iuliana Pasukcercetator cu experienta / CS IIIimprastiere de unde Rontgen
dr. Mihail Secucercetator cu experienta / CS Iluminescenta
dr. Marin Cerneacercetator cu experienta / CS IIdepuneri 'umede'; preparare tinte
dr. Ioana Pintiliecercetator cu experienta / CS Icaracterizari electrice
dr. Corneliu Ghicacercetator cu experienta / CS Imicroscopie electronica in transmisie

1. Structural and optical properties of c-axis oriented aluminum nitride thin films prepared at low temperature by reactive radio-frequency magnetron sputtering

A.C. GalcaG.E. StanL.M. Trinca, C.C. Negrila, L.C. Nistor

Thin Solid Films 524  2012, 328-333 doi:10.1016/j.tsf.2012.10.015

2.  Structural, optical and dielectric properties of Bi1.5-xZn00.92-yNb1.5O6.92-δ thin films grown by PLD on R plane sapphire and LaAlO3 substrates

A. Le Febvrier, A.C. Galca, Y. Corredores, S. Députier, V. Bouquet, V. Demange, X. Castel, R. Sauleau, R. Lefort, Ly. Zhang, G. Tanné, L. Pintilie, M. Guilloux-Viry

ACS Appl. Mat. Interf.  4 (10) 2012, 5227-5233  doi:10.1021/am301152r

3. Stoichiometry dependence of the optical properties of amorphous-like Inx−wGawZn1−xO1+0.5x−δ thin films

A.C. Galca, G. Socol, L.M. Trinca, V. Craciun

Appl. Surf. Sci. 281 2013, 96-99, doi:10.1016/j.apsusc.2013.01.176

4. Quantitative analysis of amorphous indium zinc oxide thin films synthesized by Combinatorial Pulsed Laser Deposition

E. Axente, G. Socol, S. A. Beldjilali, L. Mercadier, C.R. Luculescu, L.M. TrincaA.C. Galca, D. Pantelica, P. Ionescu, N. Becherescu, J. Hermann, V. Craciun

Appl. Phys. A -Mater. Sci. Process. 117 2014, 229–236, doi:10.1007/s00339-014-8427-y

5. Investigation of DC magnetron-sputtered TiO2 coatings: Effect of coating thickness, structure, and morphology on photocatalytic activity

S. Daviðsdóttir, R. Shabadi, A.C. Galca, I.H. Andersen, K. Dirscherl, R. Ambat

Appl. Surf. Sci. 313 2014, 677–686, doi:10.1016/j.apsusc.2014.06.047

6. Physical properties of AlxIn1-xN thin film alloys sputtered at low temperature

C. BesleagaA.C. Galca, C.F. Miclea, I. Mercioniu, M. Enculescu, G.E. Stan, A.O. Mateescu, V.

Dumitru, S. Costea

J. Appl. Phys. 116 (16) 2014, 042440, doi:accepted

7. Growth evolution of zinc oxide thin films synthesized by magnetron sputtering at low temperature

C. BesleagaA.C. GalcaG.E. StanC. GhicaI. Pasuk

Submitted to J. Phys. D-Appl. Phys.


PROJECTS/ PROIECTE NATIONALE


Back to top

Copyright © 2022 National Institute of Materials Physics. All Rights Reserved