• 10 Decembrie 2020: Ioana Dascalescu - sustinere publica a tezei de doctorat cu titlul „Studiul proprietăților electrice ale unor nanostructuri din sistemul SiGeSn”, Conducator de doctorat Dr. Magdalena Lidia Ciurea, Directorul prezentului proiect de cercetare.
• Premiul pentru cea mai buna lucrare din sectiune, "Best Paper Award" din cadrul conferintei IEEE CAS 2018, acordat lucrarii "GeSi nanocrystals in SiO₂ matrix with extended photoresponse in near infrared", autori I. Stavarache, L. Nedelcu, V.S. Teodorescu, V.A. Maraloiu, I. Dascalescu, M.L. Ciurea

REZUMAT

Scopul proiectului NcSiGeSnOPELD a fost fabricarea a doua dispozitive optoelectronice – senzor optic si dispozitiv fotovoltaic – pe baza de nanocristale (NC) din sistemul SiGeSn imersate in matrice oxidica, pentru VIS-NIR.

Pentru aceasta, am urmarit urmatoarele obiective:

O1) fabricarea probelor test pe baza de NC de SiGeSn inglobate in SiO2 pentru senzor optic si dispozitiv fotovoltaic;

O2) caracterizarea complexa a probelor test privitor la structura, compozitie, cristalinitatea, morfologia NC, proprietati optice si corelarea proprietatilor;

O3) simularea senzorului optic si a dispozitivului fotovoltaic;

O4) fabricarea si caracterizarea senzorului optic;

O5) fabricarea si caracterizarea dispozitivului fotovoltaic.

Desfasurarea in timp a activitatilor in cadrul proiectului a urmarit indeaproape planul de lucru prevazut initial. Toate probele au fost preparate prin pulverizare cu magnetron (MS) si tratament termic rapid (RTA).

Astfel, in Etapa I am realizat si caracterizat filme formate din NC de SiGe si respectiv NC de GeSn imersate in matrice oxidica de SiO₂ sau de TiO₂. Filmele de SiGe-SiO₂ cu compozitia Si:Ge:SiO₂ de 25:25:50 prezinta morfologii asemanatoare pentru temperaturi de tratament intre 650 si 1000 ^oC, fiind formate din NC SiGe imersate in SiO₂, care au diametre de 5 – 10 nm si respectiv 10 – 20 nm pentru RTA 650 ^oC si 1000 ^oC. Din masurarile optice de transmisie si reflexie s-a obtinut coeficientul de absorbtie α in functie de energie in intervalul 0,5 – 4,5 eV pentru probele cu concentratii de Si:Ge:SiO₂ de 7,5:42,5:50 si respectiv 12,5:37,5:50 proaspat depuse si tratate RTA la 800 ^oC. Curbele α^1/2 – E (reprezentare Tauc) pentru probe proaspat depuse sunt monotone, iar valorile lui α corespunzatoare probei cu continut redus de Si fata de Ge (proba 7,5:42,5:50) sunt mai mari. Curbele α^1/2 – E pentru probe tratate RTA la 800 ^oC sunt nemonotone, ceea ce demonstreaza formarea de NC de SiGe. Rezultatele experimentale sunt in bun acord cu rezultatele obtinute din simulare pentru concentratii apropiate de cele experimentale. Filmele de SiGe-TiO₂ au morfologie dependenta in principal de concentratia relativa Si:Ge. Astfel, la concentratie Si:Ge:TiO₂ de 35:40:25 se formeaza NC de SiGe cu continut ridicat de Ge si NC de TiO₂ pentru pentru temperaturile RTA de 775, 800 si 825 ^oC. Pentru concentratie Si:Ge:TiO₂ de 25:25:50 filmele tratate la 800 ^oC contin doar TiO₂ (nano)cristalizat sub forma de anatas si rutil (nu se evidentiaza prezenta SiGe cristalizat). In filmele cu concentratie Si:Ge:TiO₂ de 45:35:20 (RTA 800 ^oC) se formeaza de asemenea NC de SiGe cu structura cubica si NC de suboxizi de Ti sau structuri de tip GeTiO. Curbele α^1/2 – E (reprezentare Tauc) corespunzatoare probelor cu compozitie Si:Ge:TiO₂ = 35:40:25 proaspat depuse si tratate RTA la 800 ^oC sunt monotone pentru proba proaspat depusa si nemonotone pentru probele tratate RTA (comportare asemanatoare cu proba SiGe-SiO₂), evidentiind, de asemenea, formarea de NC de SiGe. Cele mai bune filme de GeSn-SiO₂ cu continut ridicat de Sn de 10% – 15% si cu continut de SiO₂ de 10% – 15% s-au obtinut pentru tratament RTA la 400 ^oC, tratament care a condus la formarea de NC de GeSn cu concentratie ridicata de Sn de 14% si dimensiuni de 5 – 10 nm, fara segregarea b-Sn dar cu nanocristalizarea GeSn.

In Etapa a II-a am realizat structuri din aliaje ternare SiGeSn, structuri multistrat prin repetarea depunerii de nanostraturi de SiGeSn/SiO₂ de un numar de 5 si 20 de ori, precum si probe de SiGeSn-HfO₂. Concentratiile aliajelor (Si_yGe_1-y)_1-xSn_x au fost variate prin folosirea de tinte de SiGe de diverse compozitii si prin controlul conditiilor de plasma de pulverizare pentru co-depunerea de SiGe si Sn. Probele test pe baza de nanocristale de SiGeSn si SiGeSn/SiO₂ sunt fotosensibile intr-un domeniu larg de lungimi de unda, 0.50 – 1.35 µm. Un domeniu de sensibilitate mult mai extins a fost gasit la probele de SiGeSn-HfO₂ la care fotocurentul a fost detectat in IR pana la lungimi de unda de 1.75 µm. Simularile din aceasta etapa privind aliajele ternare SiGeSn au aratat extinderea in IR a coeficientului de absorptie la SiGeSn fata de straturile de SiGe, prin adaosul de Sn.

In Etapa a III-a am continuat investigarea proceselor de fabricare, optimizare si caracterizare de straturi si structuri pe baza de NC de (Ge_1-xSi_x)_1-ySn_y in matrice oxidica, pentru realizarea de senzor optic si dispozitiv fotovoltaic. Am definit demonstratorii corespunzatori dispozitivului fotovoltaic si senzorului optic prin parametrii de functionare responsivitate R si detectivitate specifica D*. Demonstratorii au fost fabricati utilizand parametrii tehnologici corespunzatori celor mai bune structuri.

Am creat si actualizat pagina web a proiectului la adresa: http://www.infim.ro/ro/projects/dispozitive-optoelectrice-pe-baza-de-nanocristale-de-sigesn-matrice-oxidica.

Rezultatele prevazute in planul de realizare pentru intregul proiect au fost depasite: (i) am publicat 12 articole (6 prevazute), dintre care 8 in reviste cotate ISI; (ii) am prezentat la conferinte internationale 9 comunicari (6 prevazute), dintre care 1 lucrare invitata si 6 lucrari orale; (iii) am depus la OSIM 1 aplicatie de brevet de inventie; (iv) am realizat 2 dispozitive-demonstrator: 1 senzor optic si 1 dispozitiv fotovoltaic; (v) am angrenat tineri in activitatile proiectului (1 lucrare de doctorat in faza finala de redactare, 1 tanar admis la studii doctorale, 1 lucrare de dizertatie finalizata, toate in tematica proiectului).

In concluzie, obiectivele si activitatile propuse pentru Contractul PCE Nr. 122 /2017, Dispozitive optoelectrice pe baza de nanocristale de SiGeSn in matrice oxidica - NcSiGeSnOPELD au fost integral realizate.

REZUMATUL ETAPEI III

Scopul proiectului NcSiGeSnOPELD este fabricarea a doua dispozitive optoelectronice – senzor optic si dispozitiv fotovoltaic – pe baza de nanocristale (NC) din sistemul SiGeSn imersate in matrice oxidica, pentru VIS-NIR.

In Etapa III am urmarit extinderea in IR a senzitivitatii structurilor pe baza de NC de (Ge_1-xSi_x)_1-ySn_y in matrice oxidica de SiO₂. Pentru aceasta ne-am propus sa crestem continutul de Sn si sa scadem concentratia de Si fata de Ge. Am preparat straturi cu x = 5% si y = 14-19%. Am preparat filmele prin pulverizare cu magnetron (MS) atat prin codepunere de SiGe-Sn-SiO₂ cat si multistraturi de SiGeSn/SiO₂, urmate de tratamente termice RTA pentru nanocristalizare. Am ales sa folosim in continuare straturi codepuse, in principal pentru ca fenomenul de nanocristalizare se poate realiza intr-un mod mult mai uniform in grosimea stratului. Temperatura de tratament termic RTA a fost variata in domeniul 380 -550 ^oC. Am preparat si investigat 3 tipuri de probe: cu continut moderat (~14 %) si crescut de Sn (~19 %) depuse direct pe substrat de Si, si cu continut moderat de Sn (~14 %), depuse pe buffer de SiGe.

In probele cu continut moderat de Sn depuse pe substrat de Si, se obtine o buna nanocristalizare in urma tratamentului la 520 ^oC. Odata cu cresterea concentratiei de Sn la 19%, nanocristalizarea apare la temperaturi mult reduse (430 ^oC), si este insotita de o usoara segregare a Sn. O scadere a temperaturii de nanocristalizare a fost observata si in proba in care stratul activ se depune pe buffer de SiGe, explicata prin faptul ca la interfata stratului de SiGeSn-SiO₂ cu bufferul de SiGe (liber de oxid) se pot crea nuclee de SiGeSn ce pot facilita procesul de nanocristalizare din stratul de SiGeSn-SiO₂ la temperaturi mai scazute.

Masuratorile fotoelectrice s-au realizat pe probe cu electrozi transparenti de ITO. Pe baza acestor masuratori s-au selectat structurile pentru dispozitiv fotovoltaic si senzor optic.

S-au obtinut dispozitive fotovoltaice si senzori optici optimizati, folosind atat straturi cu continut moderat (~14 %) cat si straturi cu continut crescut (~19 %) de Sn. Fiecare dintre aceste tipuri de straturi prezinta performate superioare in anumite conditii legate de modul de functionare fotovoltaic si senzor cu polarizare electrica, precum si de intensitatea si tipul de iluminare monocromatic sau in lumina integrala. Cele doua tipuri de straturi sunt caracterizate prin aceleasi valori ale concentatiilor de Si x=5% si de SiO₂ ~15%.

La dispozitivul fotovoltaic, responsivitatea spectrala si dependenta spectrala a tensiunii de gol sunt superioare dispozitivelor realizate pe baza de strat cu continut mediu de Sn, tratat la 520 ^oC, atingand la temperatura camerei valori de 14 mA/W in domeniul VIS-NIR, intr-un maxim intens larg de pana la 1350 nm, si prezentand sensibilitate extinsa pana la 2000 nm. In lumina integrala mai intensa, de ordinul 10 mW/cm² , dispzitivele fotovoltaice pe baza de strat cu continut ridicat de Sn sunt ceva mai performante privind tensiunea de gol, responsivitatea in curent de scurt-circuit atingand valori de aproape 10 mA/W la temperatura camerei.

La senzori optici, in regim de polarizare electrica externa, responsivitatea si detectivitatea specifica spectrala la temperatura camerei sunt superioare in cazul dispozitivelor pe baza de strat cu continut moderat de Sn tratati la 520 ^oC. Se ating astfel valori de responsivitate de 65 mA/W si detectivitati specifice de 10¹¹ cm Hz^1/2 W^-1 la o polarizare electrica de 3 V, in domeniul VIS-NIR, la temperatura camerei. La iluminare cu lumina integrala, responsivitatea este net superioara in cazul senzorilor pe baza de strat cu continut ridicat de Sn, atingand valori la temperatura camerei de 100 mA/W la polarizare de 1V, dar detectivitatea specifica la temperatura camerei este egala cu 2.0 10¹⁰ cm Hz^1/2 W^-1 la ambele tipuri de senzori.

S-a actualizat pagina web a proiectului la adresa: http://www.infim.ro/ro/projects/dispozitive-optoelectrice-pe-baza-de-nanocristale-de-sigesn-matrice-oxidica.

In Etapa III/2019 am publicat si am trimis spre publicare 9 lucrari ISI dintre care 7 in reviste cotate ISI si 2 in proceedings-uri indexate ISI  impreuna cu 5 comunicari la conferinte. S-a depus la OSIM o cerere de brevet de inventie.

In concluzie, obiectivele si activitatile propuse pentru Etapa III/2019 au fost integral realizate.

REZUMATUL ETAPEI II

Scopul proiectului NcSiGeSnOPELD este fabricarea a doua dispozitive optoelectronice – senzor optic si dispozitiv fotovoltaic – pe baza de nanocristale (NC) din sistemul SiGeSn imersate in matrice oxidica, pentru VIS-NIR.

In Etapa II s-au realizat structuri cu aliaje ternare SiGeSn, structuri multistrat prin repetarea depunerii de nanostraturi de SiGeSn/SiO₂ de un numar de 5 si 20 de ori, precum si probe de SiGeSn-HfO₂. Punctul de plecare au fost filmele pe baza de componente binare din sistemul SiGeSn, si anume filme formate din nanocristale de SiGe (NC SiGe) si respectiv NC GeSn imersate in matrice oxidica de SiO₂ realizate in cadrul Etapei I. Ca si in etapa precedenta, toate filmele au fost depuse prin pulverizare cu magnetron (MS) si au fost nanostructurate prin tratamente termice rapide (RTA) in conditii controlate de temperatura, durata si flux de gaz.

Concentratiile aliajelor (Si_yGe_1-y)_1-xSn_x au fost variate prin folosirea de tinte de SiGe de diverse compozitii si prin controlul conditiilor de plasma de pulverizare pentru co-depunerea de SiGe si Sn. Probele de SiGeSn-HfO₂ au fost realizate prin codepuneri de SiGe, Sn si HfO₂. S-au testat doua tipuri de aliaje de SiGe cu concentratii diferite de Si_yGe_1-y cu valori y= 10% si 50%. Concentratia de Sn in (Si_yGe_1-y)_1-xSn_x a fost variata prin controlul puterii in plasma, x= 3, 6 si 9%.

Structurile astfel depuse au fost supuse tratamentelor termice RTA pentru nanocristalizare, realizand astfel probele test. Procesul de cristalizare a fost investigat prin masuratori de HRTEM, EDX si XPS. Este cunoscut faptul ca alierea cu Sn a Ge amorf face ca temperatura de cristalizare sa scada considerabil. Prezenta Si in aliajul ternar SiGeSn face ca temperatura de cristalizare sa creasca. Astfel, daca la GeSn prezentat in raportul de faza anterior cristalizarea se realiza in domeniul de temperaturi 300-450 ^oC, depinzand de concentratia de Sn, la SiGeSn analizat in aceasta etapa, temperastura de cristalizare creste la 500-550^oC.

Asa dupa cum rezulta din investigarea probelor test din aceasta etapa, nanocristalizarea este insotita de segregarea de Sn in clusteri de SiGeSn bogati in Sn, segregare care ajuta prin continutul crescut de Sn la formarea de nanocristale. In acest fel se poate explica faptul observat prin XRD si HRTEM ca nanocristalele de SiGeSn pot avea concentratii mai mari de Sn decat media din strat intr-o prima faza de formare a lor. Formarea de NC de SiGeSn este insotita insa si de difuzia Sn catre suprafata, asa cum rezulta din XPS, difuzie favorizata si de temperatura mai ridicata la SiGeSn necesara cristalizarii. Ca urmare, intervalul de temperatura in care trebuie realizat tratamentul termic pentru nanocristalizarea SiGeSn este restrans in comparatie cu cel de la GeSn.

Procesele de cristalizare au prezentat aceleasi caracteristici cu cele de la straturile de SiGeSn si in cazul probelor test multistrat SiGeSn/SiO₂ precum si la cele codepuse de tip SiGeSn-HfO₂. Astfel, regimul de tratament a fost limitat la acelasi domeniu de temperaturi 500-550 ^oC si in cazul realizarii de nanocristale de SiGeSn in oxid.

Structuri test de diode au fost realizate prin depuneri de electrod transparent de ITO deasupra straturilor continand NC de SiGeSn, si electrod de Al pe spatele suportului de Si. S-au realizat astfel diode redresoare pe baza heterojonctiunii straturilor de SiGeSn, multistrat SiGeSn/SiO₂ si codepuse SiGeSn-HfO₂, cu suportul de Si. Caracterul redresor a fost relevat prin masuratori ale curbelor I-V la divese temperaturi, dar si prin masuratori de fotocurent spectral.

Probele test pe baza de nanocristale de SiGeSn si SiGeSn/SiO₂ sunt fotosensibile intr-un domeniu larg de lungimi de unda, 0.50 – 1.35 µm. Un domeniu de sensibilitate mult mai extins a fost gasit la probele de SiGeSn-HfO₂ la care fotocurentul a fost detectat in IR pana la lungimi de unda de 1.75 µm.

Simularile din aceasta etapa privind aliajele ternare SiGeSn au reprezentat o continuare a celor din faza anterioara privind aliajele binare SiGe si GeSn. Au fost facute calcule de constante optice la SiGeSn si SiGeSn-SiO₂ pentru diverse concentratii de Si, Sn si SiO₂ corespunzand valorilor explorate experimental. Simularile au aratat extinderea in IR a coeficientului de absorptie la SiGeSn fata de straturile de SiGe, prin adaosul de Sn. Cresterea absorptiei de energie dintr-un spectru solar arata ca adaosul de Sn la probe continand un procent mai mare de Si poate atinge valori semnificative, recomadand astfel de straturi pentru dispozitive pentru IR.

S-a actualizat pagina web a proiectului la adresa: http://www.infim.ro/ro/projects/dispozitive-optoelectrice-pe-baza-de-nanocristale-de-sigesn-matrice-oxidica.

Din cele prezentate mai sus reiese ca rezultatele prevazute in planul de realizare pentru Etapa II (# Probe test pentru senzor optic caracterizat structural, optic si electric; # 2 lucrari ISI; # 1 comunicare) au fost integral realizate, si partial depasite. Am publicat 4 articole in reviste ISI, si am prezentat la conferinte internationale 2 comunicari orale.

In concluzie, obiectivele si activitatile propuse pentru Etapa II/2018 au fost integral realizate.

REZUMATUL ETAPEI I

Scopul proiectului NcSiGeSnOPELD este fabricarea a doua dispozitive optoelectronice – senzor optic si dispozitiv fotovoltaic – pe baza de nanocristale (NC) din sistemul SiGeSn imersate in matrice oxidica, pentru VIS-NIR.

In Etapa I ne-am propus sa realizam filme pe baza de componente binare din sistemul SiGeSn, si anume filme formate din nanocristale de SiGe (NC SiGe) si respectiv NC GeSn imersate in matrice oxidica de SiO₂ sau de TiO₂. Toate filmele au fost depuse prin pulverizare cu magnetron (MS) si au fost nanostructurate prin tratamente termice rapide (RTA) in conditii controlate de temperatura, durata si flux de gaz.

Pentru realizarea acestui obiectiv s-au facut ● studii pentru gasirea parametrilor de depunere MS si de tratament RTA pentru filme cu compozitii diferite, ● s-au testat iterativ filmele preparate pentru modificarea conditiilor de preparare in functie de rezultatele obtinute din teste, ● s-au facut incercari pentru depunerea de contacte electrice prin evaporare termica si in fascicul de electroni si ● s-au simulat parametrii optici (indice de refractie si coeficient de extinctie din care s-a obtinut coeficientul de absorbtie) ai materialelor din care se vor realiza cele doua dispozitive. De asemenea ● s-a estimat curentul de scurt-circuit in functie de concentratia de SiGe si respectiv de GeSn in oxid.

Filmele de SiGe-SiO₂ au fost depuse MS pe plachete de Si (100) de tip n in atmosfera de Ar la o presiune de lucru de 4 mTorr. In aceasta etapa, au fost depuse filme cu 3 compozitii pentru Si:Ge:SiO₂ si anume 25:25:50, 12,5:37,5:50 si respectiv 7,5:42,5:50. Nanocristalizarea filmelor s-a efectuat prin tratamente RTA in N₂, la temperaturi de 650, 800 si 1000 ^oC. Investigatiile HRTEM efectuate pe proba cu compozitia 25:25:50 tratata la 650 ^oC arata ca aceste filme sunt formate din NC de SiGe cu diametre de 5 – 10 nm inglobate in matricea amorfa de SiO₂, pe cand in filmul tratat la 1000 ^oC NC de SiGe sunt mai mari (10 – 20 nm diametru).

S-au efectuat masurari optice de transmisie si reflexie pe probele cu concentratii de Si:Ge:SiO₂ de 7,5:42,5:50 si respectiv 12,5:37,5:50, proaspat depuse si tratate RTA la 800 ^oC, din care s-a obtinut coeficientul de absorbtie α in functie de energie in intervalul 0,5 – 4,5 eV (α^1/2 – E reprezentare Tauc). Curbele α^1/2 – E pentru probe proaspat depuse sunt monotone, iar valorile lui α sunt mai mari pentru proba cu continut redus de Si fata de Ge (proba 7,5:42,5:50). Curbele α^1/2 – E pentru probe tratate RTA sunt nemonotone, ceea ce demonstreaza formarea de NC de SiGe. Rezultatele experimentale sunt in bun acord cu rezultatele obtinute din simulare pentru concentratii apropiate de cele experimentale.

Filmele de SiGe-TiO₂ au fost depuse prin MS in Ar (presiune de lucru de 4 mTorr) pe plachete de Si (100) de tip p, oxidate RTO in prealabil. Au fost depuse filme cu 3 compozitii de Si:Ge:TiO₂ si anume 25:25:50, 35:40:25 si respectiv 45:35:20. Pentru nanostructurare, filmele au fost tratate RTA la temperaturi de 775, 800 si 825 ^oC in Ar. Toate filmele tratate RTA cu compozitia 35:40:25 sunt formate din NC de SiGe cu continut ridicat de Ge si cu structura cubica, si de NC de TiO₂ cu structura de rutil (difractograme XRD si imagini HRTEM), cele mai bune fiind cele tratate la 800 ^oC. Filmele cu compozitia 25:25:50 si RTA la 800 ^oC contin doar TiO₂ (nano)cristalizat sub forma de anatas si rutil (nu evidentiaza prezenta SiGe cristalizat), pe cand  cele cu compozitia 45:35:20 si tratate la aceeasi temperatura prezinta NC de SiGe cu structura cubica si NC de suboxizi de Ti sau structuri de tip GeTiO.

Din masurarile de transmisie si reflexie pe probele cu compozitie Si:Ge:TiO₂ = 35:40:25, proaspat depuse si tratate RTA la 800 ^oC, s-au obtinut curbele α^1/2 – E pe intervalul 1,2 – 3,2 eV. Ca si in cazul filmelor SiGe-SiO₂, aceste curbe sunt monotone pentru probele proaspat depuse si nemonotone pentru probele tratate RTA, aratand de asemenea formarea de NC de SiGe.

Filmele de GeSn-SiO₂ au fost depuse prin MS pe suporti de Si (100) de tip p, in atmosfera de Ar la presiunea de lucru de 4 mTorr. S-a urmarit realizarea de filme cu continut ridicat de Sn de 10-15%, si respectiv de 10-15% SiO₂. Nanocristalizarea straturilor amorfe proaspat depuse s-a realizat prin tratament RTA la temperaturi de 250, 350, 400 si 450 ^oC. Pentru filmele cu 10-12% Sn si in jur de 10% SiO₂, temperatura optima de tratament RTA este de 400 ^oC. Aceste filme sunt formate din NC de GeSn cu continut de 14% Sn, mai mare decat media in strat de 12% (EDX, HRTEM, XRD). Din masurarile optice (transmisie si reflexie) s-a calculat coeficientul de absorbtie in functie de energie din care s-a obtinut pragul optic de 0,44 eV pentru concentratie de Sn 14% si respectiv de 0,37 eV pentru continut de 16 % Sn. Aceste praguri corespund lungimilor de unda de 2,82 µm si respectiv 3,35 µm.

S-au realizat simulari pentru obtinerea parametrilor optici si anume indicele de refractie si coeficientul de extinctie in functie de energia fotonilor, din care s-a obtinut coeficientul de absorbtie pentru cele 3 tipuri de filme formate din NC de SiGe imersate in TiO₂ sau in SiO₂ si respectiv NC de GeSn in SiO₂ cu diferite compozitii. Pentru determinarea parametrilor optici s-a folosit aproximatia mediului efectiv in varianta Bruggeman. De asemenea s-a estimat curentul de scurt-circuit in functie de concentratia de SiGe si respectiv de GeSn in oxizi.

S-a creat  pagina web a proiectului  a carei adresa este: http://www.infim.ro/ro/projects/dispozitive-optoelectrice-pe-baza-de-nanocristale-de-sigesn-matrice-oxidica.

Din cele prezentate mai sus reiese ca rezultatele prevazute in planul de realizare pentru Etapa I (# Filme din sistemul SiGeSn-oxid nanostructurate testate preliminar; # 1 comunicare la o conferinta internationala) au fost integral realizate, unele dintre ele fiind depasite (ex. # 1 lucrare trimisa spre publicare si 2 lucrari prezentate la conferinte in plus).

In concluzie, obiectivele si activitatile propuse pentru Etapa I/2017 au fost integral realizate.

Atragerea tinerilor in tematica proiectului

• Ioana Dascalescu - sustinere publica (10.12.2020) a tezei de doctorat cu titlul „Studiul proprietăților electrice ale unor nanostructuri din sistemul SiGeSn”, Conducator de doctorat Dr. Magdalena Lidia Ciurea, Directorul prezentului proiect de cercetare.
• Ioana Dascalescu se afla in etapa de finalizare a redactarii tezei de doctorat cu titlul „Studiul proprietăților electrice ale unor nanostructuri din sistemul SiGeSn”, Conducator de doctorat Dr. M.L. Ciurea.
• Ovidiu Cojocaru a prezentat Lucrarea de Dizertatie (Facultatea de Fizica, Universitatea din Bucuresti, iulie 2019) cu titlul „Study of Ge nanocrystals embedded in TiO₂ films with photosensitive properties in VIS-NIR”, Conducatori stiintifici Dr. Magdalena Lidia Ciurea, Directorul prezentului proiect de cercetare si Dr. Alexandru Nemnes.
• Ovidiu Cojocaru a fost admis in septembrie 2019 la studii de doctorat, Scoala Doctorala a Facultatii de Fizica, Univesitatea din Bucuresti, Conducator Stiintific Dr. Magdalena Lidia Ciurea, Directorul prezentului proiect de cercetare, in tematica „Proprietati fotoelectrice ale nanostructurilor cu SiGeSn in corelatie cu structura energetica”.

• Ovidiu Cojocaru a participat la Scoala de vara GraFOx Summer School on Oxide Semiconductors for Smart Electronic Devices, 3-9 iunie 2019, Loveno di Menaggio (CO) – Italia, cu posterul “Ge nanocrystals in TiO₂ films for near infrared optical sensors" - O. Cojocaru, I. Dascalescu, C. Palade, A. Slav.