Obiectivul proiectului este fabricarea unui dispozitiv de memorie nevolatila (NVM), cu 1–3 porti flotante (FG) din nanocristale (NC) de GeSn, controlate prin camp electric si iluminare. Poarta flotanta cu NC de GeSn reprezinta o solutie noua, beneficiind de sensibilitatea ridicata a NC de GeSn in infrarosu apropiat (SWIR). Aceasta NVM este un dispozitiv multistrat (ML) de tip capacitor (contact superior/ oxid de poartă/ (FG de NC GeSn / oxid tunel)_n / plachetă de Si/ contact inferior, n=1–3) si va fi fabricat in 2 versiuni: V1 (foloseste secvente de straturi de HfO₂ și SiO₂ pentru oxizii de poartă si tunel) si V2 (foloseste doar SiO₂). Se utilizeaza o metoda foarte eficienta de depunere prin pulverizare cu magnetron pe substrat incalzit (tratament termic dinamic), fiind o metoda de fabricare intr-o singura etapa. Nodurile de NC de GeSn din FG vor fi incarcate prin aplicarea unei tensiuni si lumina (lungimi de unda ≥1000 nm), aplicate simultan. Performantele vizate ale NVM cu FG de NC GeSn sunt: fereastra de memorie de 3–5 V, pierdere de sarcină de 10%–12% la 10⁴ s (30% după 10 ani), fotosensibilitate ridicata in intervalul 1000–1800 nm (NC GeSn cu 10%–15% Sn) si consum redus de energie (prin lumina). Impactul proiectului este: stiințific (ințelegere aprofundata a proceselor electronice si a functionării dispozitivelor), tehnologic (procese si parametri), social si economic (sisteme de securitate ieftine (IoT) pentru detectia evenimentelor, fotonica integrata pe Si, captare de imagini, dispozitive (fotonice) de calcul neuromorfic, sisteme informatice; formarea tinerilor). Rezultatele proiectului: 5 articole ISI Q1 & Q2, 5 comunicari la conferinte, 1 cerere de brevet, avand in vedere practicile de publicare open-access.