ID-ul Proiectului:

PN-II-RU-TE-2011-3-0016 Contract Nr. 19/05.10.2011

Director de Proiect:

Dr. Aurelian-Catalin Galca

Tipul proiectului:

National

Programul de incadrare al proiectului:

Resurse Umane, TE

Finantare:

Unitatea Executiva pentru Finantarea Invatamantului Superior, a Cercetarii, Dezvoltarii si Inovarii, UEFISCDI

Contractor:

Institutul National de Cercetare Dezvoltare pentru Fizica Materialelor

Status:

Finished

Data de inceput:

Saturday, 1 October, 2011

Data finalizarii:

Wednesday, 1 October, 2014

Rezumatul Proiectului:

Scopul acestui proiect este analiza semiconductorilor cu banda larga sub forma de filme subtiri, utilizand tehnici de caracterizare nedistructive: elipsometrie, difractie de unde Rontgen si luminescenta. Aceste materiale sunt dovedite sau sunt privite ca materiale utile pentru aplicatii in optica si/sau electronica. Filmele subtiri de semiconductori cu banda interzisa larga vor fi obtinute prin diferite metode de crestere a filmelor subtiri: depunere cu ajutorul laserului pulsat, pulverizare in magnetron, depunere din solutii coloidale. Influenta defectelor si impuritatilor asupra proprietatilor optice, electrice si electronice va fi studiata.

Rezultatele obtinute cu tehnicile optice mai sus amintite vor fi verificate prin masuratori electrice conventionale si/sau analize structurale de microscopie electronica.

Proiectul este focalizat pe 3 tipuri de semiconductori cu banda larga: oxid de zinc (ZnO) pur sau dopat cu alte elemente; nitrura de zinc (Zn3N2) si fazele intermediare din timpul oxidarii controlate; Nitruri de aluminiu si indiu (AlxIn1-xN) pur sau dopat cu Zn.

Unul dintre obiectivul proiectului este cresterea si caracterizarea semiconductorilor de tip n si p cu proprietati reproductibile. Rezultatele estimate vor aduce contributii noi si originale cu privire la fenomenele fizice care descriu procesul de crestere si proprietatile materialelor. In plus, activitati deosebite vor fi incluse cum ar fi corelarea dintre cunoasterea fundamentala si necesitatile practice sin domeniul electronicii, cat si standardizarea cresterii de filme subtiri la temperaturi sub 200oC.

Obiectivele proiectului:

Obiectivele proiectului sunt:
1) Obtinerea de filme subtiri cu potential de integrare in diferite dispozitive.
2) Descrierea si explicarea din punct de vedere fundamental a proprietatilor structurale, optice si electrice a filmelor subtiri obtinute.

Rezultatele estimate ale proiectului  sunt cuantificate in articole stiintifice in reviste cu factor mare de impact ISI (Appl. Phys. Lett., J. Colloid Interf. Sci) si in reviste dedicate cu un factor de impact ISI  mai scazut (Thin Solid Films. J. Appl. Phys., Appl. Surf. Sci.).
Numarul de publicatii final nu poate fi prevazut, dar suntem increzatori in capacitatea noastra de a dezvolta si publica cel putin 3 (trei) astfel de studii.