Noi Nanostructuri Calcogenice pentru Tehnologia Informatiei si a Comunicatiilor
Project Director: Dr. Mihail SECU
ID-ul Proiectului: 20 din 01/08/2018, (Cod depunere: PN-III-P3-3.1-PM-RO-CN-2018-0076)
Domeniul științific: Tehnologia informatiei si comunicatii
Director de Proiect: Dr. Mihail Secu
Tipul proiectului: cooperare bilaterală România – Republica Populară Chineză
Programul de incadrare al proiectului: P3 - Cooperare europeană și internațională
Finantare: Unitatea Executiva pentru Finantarea Invatamantului Superior, a Cercetarii, Dezvoltarii si Inovarii – UEFISCDI
Data de inceput: 01 August, 2018
Data finalizarii: 31 Decembrie 2019
Rezumatul Proiectului:
Memoria de acces aleatoriu rezistiv (RRAM) este cea mai promițătoare și fiabilă tehnologie capabilă să depășească problemele de scalare ale memoriilor actuale de tip FLASH. Memoriile de tip RRAM sunt memoriile prin conexiune conductiva cu acces aleatoriu (CBRAM), care constau din diferite materiale de comutare calcogenice sau oxizi (electroliți solizi) cu un electrod inert (catod) și un electrod activ (anod) electrochimic activ.
Figura Reprezentarea schematica a unei celule cu doua terminale (a) cu imaginea microscopica (b) si caracteristica curent-tensiune a unei celule GeSe/Ag unde se observa comportament tipic de comutare dintr-o stare izolatoare (OFF) intr-o stare conductoare (ON) (c);
Mecanismul de comutare în aceste structuri de tip metal-izolator-metal se bazeaza pe formarea și dizolvarea unui filament metalic în materialele de comutare la aplicarea unei tensiuni externe cu polarități opuse iar comutarea este reversibilă. Dinamica de creștere a filamentului metalic în diferite materiale de comutare este încă necunoscută. Pentru a putea construi celule de memorie perfomante, acest mecanism ar trebui să fie pe deplin înțeles și controlat. Performanțele celulelor de memorie CBRAM depind de materialele ce prezinta de comutare. Deoarece materialele pe bază de calcogenice au o rezistență mai bună comparativ cu un material pe bază de oxid, s-a studiat difuzia de metale (Ag si Cu) în filmele subțiri calcogenice, s-au construit si caracterizat proprietatile electrice ale celulelor de memorie CBRAM bazate pe cele mai bune materiale de comutare existente.
Lucrari publicate:
- “Third-order optical nonlinearity properties of CdCl2-modifed Ge–Sb–S chalcogenide glasses”
Xiaosong Lu, Jianhui Li, Lu Yang, Runan Zhang, Yindong Zhang, Jing Ren, Aurelian Catalin Galca, Mihail Secu, Gerald Farrell, Pengfei Wang, Journal of Non-Crystalline Solids 528 (2020) 119757
- INSTITUTUL NATIONAL DE CERCETARE - DEZVOLTARE PENTRU FIZICA MATERIALELOR (INCDFM) MAGURELE
- KEY LAB OF IN-FIBRE INTEGRATED OPTICS, HARBIN ENGINEERING UNIVERSITY, CHINA
Obiectivul proiectului: În acest proiect, vom studia în mod sistematic difuzia diferitelor metale în mai multe materiale cu proprietati de comutare, apoi vom construi și vom caracteriza celulele de memorie CBRAM bazate pe cele mai bune materiale de comutare existente.
Rezultate estimate: Prepararea si caracterizarea filmelor subtiri calcogenice si a functionalitatii celulelor de memorie. Rezultatele proiectului vor fi evidentiate prin diseminarea la congrese sau conferinte international si prin publicarea in jurnale ISI.
Potențialul viitor al continuării cooperării internaționale (în special în programele de cercetare finanțate de către UE): Atat UE cat si China reafirmă importanța cooperării în domeniul cercetării și inovării ca motor al dezvoltării economice și sociale și un element-cheie al relațiilor dintre ele. Uniunea Europeană are ambiția de a crește nivelul și intensitatea relațiilor de cercetare și inovare cu China și de a lansa noi inițiative comune în domeniul cercetării și inovării. În calitate de membru al UE, România este interesată de participare și o colaborare mai profundă în cadrul acestor noi inițiative, iar proiectul de față este primul pas către atingerea acestui obiectiv.
PROJECTS/ PROIECTE NATIONALE
Copyright © 2024 National Institute of Materials Physics. All Rights Reserved