INSTITUTUL NAȚIONAL DE CERCETARE DEZVOLTARE PENTRU FIZICA MATERIALELOR (INCDFM), care include ca unitate cu personalitate juridică și CENTRUL INTERNAȚIONAL de FORMARE și CERCETARE AVANSATĂ în FIZICĂ (CIFRA), cu sediul în orașul Măgurele str. Atomiștilor, nr.405A, jud. Ilfov, organizează concurs pentru ocuparea a 4 (patru) posturi de Cercetător Științific gradul III (CS III), și a 5 (cinci) posturi de Cercetător Științific.
Candidații trebuie să aibă studii superioare în unul din domeniile: Fizică, Chimie, Inginerie, Biologie sau similare, și să îndeplinească standardele prevăzute în Regulamentul de concurs al INCDFM și în OM 6129/2016. Candidații vor specifica în cererea de înscriere la concurs pentru care din pozițiile descrise în anunț aplică (exemplu: solicit înscriere la concurs pentru un post CS II, cu descrierea de la Poziția 3).
Sarcini generale:
a)participarea la competițiile de proiecte (conform expertizei impuse pentru ocuparea postului) atât ca director, responsabil partener sau membru în echipa de lucru;
b) participarea la publicarea rezultatelor cercetării în reviste indexate în baze de date internaționale precum Clarivate-Web of Science sau Scopus;
c) implicarea în proiectele noi finanțate în corelație cu expertiza proprie;
d) participă la diseminarea rezultatelor activității de cercetare prin prezentări la manifestări științifice internaționale, alte evenimente de profil, precum și în mijloace mass-media;
e) participă la activități inovative și de transfer tehnologic, respectând confidențialitatea acestora;
f) participă activ la formarea și instruirea studenților în practică și a tinerilor cercetători;
g) respectă regulile de etică în cercetare așa cum sunt ele descrise în Codul de Etică al INCDFM.
Mai jos sunt descrierile sarcinilor specifice pentru pozițiile scoase la concurs.
Fișe post
CS III
Poziția 1
Cerințe specifice: expertiza chimia polimerilor, procese de sinteză/fabricație de materiale polimerice nanostructurate și compozite bazate pe nanostructuri; dezvoltarea metodelor de sinteză a unor materiale polimerice și de ficționalizare prin metode fizice si chimice, dezvoltarea metodelor de fabricație a structurilor polimerice cu morfologie controlată.
Poziția 2
Cerințe specifice: optică, spectroscopie și laseri; spectroscopie UV-VIS și FTIR, fotoluminescență, împrăștiere Raman, spectroscopie SERS, difracție de raze X; proprietățile optice ale materialelor compozite bazate pe polimeri conductori și nanoparticule de tip nanotuburi de carbon și nanoparticule semiconductoare; – fotodegradarea coloranților și a medicamentelor în prezența compozitelor de tip nanotuburi de carbon /TiO2 dopat cu azot; aplicațiile materialelor compozite în procesele de fotodegradare ale coloranților din apele uzate.
Alte sarcini: caracterizarea materialelor compozite bazate pe polimeri conductori de tip poli(o-toluidina) (POT) și nanoparticule de WS2; dezvoltare a noi suporți SERS pentru aplicații în domeniul detecției compușilor de fotodegradare a medicamentelor; participarea activă la proiectele în derulare: POC390/2021, PED589 și Nucleu precum și la cele în curs de contractarea (ex. call UE-UA, etc.);
Poziția 3
Cerințe specifice: optică, spectroscopie și laseri; spectroscopie UV-VIS și FTIR, fotoluminescență, împrăștiere Raman, spectroscopie SERS, fotoconducție, voltametrie ciclică; sinteza și proprietățile optice ale materialelor compozite bazate pe polimeri conductori și nanostructuri de carbon de tip nanotuburi de carbon, grafenă, etc.; sinteza și caracterizarea morfo-structurală ale nanostructurilor de TiO2 dopate cu N; aplicațiile materialelor compozite în procesele de fotodegradare ale coloranților din apele uzate; obținerea hidrogenului din apele uzate.
Alte sarcini: prepararea și caracterizarea materialelor compozite bazate pe: a1) polimeri conductori de tip poli(o-toluidina) (POT) și oxid de grafenă redus (RGO) și a2) nanoparticule semiconductoare și polidopamină; aplicațiile materialelor compozite în domeniul fotodegradării coloranților și compușilor farmaceutici precum și în domeniul stocării energiei; participarea activă la proiectele în derulare: POC390/2021, PED589 și Nucleu precum și la cele în curs de contractarea (ex. call UE-UA, etc.);
Poziția 4
Cerințe specifice: Expertiza în pulverizare cu magnetron pentru depuneri de straturi subțiri și structuri multistrat pe suport încălzit sau la RT; expertiză în procesare termică rapidă pentru tratamente RTA de nanostructurare și post-metalizare și pentru oxidări controlate; expertiza în măsurări electrice (inclusiv de proprietăți feroelectrice și de stocare de sarcină) și fotoelectrice în regim de lumină modulată și continuă (10 – 500 K) și Lanțul de măsurări Hall și de magnetorezistență (până la 2,5 T; 4 – 300 K); expertiza în preparare/fabricare (depunere și nanostructurare, contacte electrice) specifice nanomaterialelor avansate și nanostructurilor și dispozitivelor demonstrator pe bază de materiale din grupa a IV-a (Si, Ge, SiGe, SiGeSn) și oxizi cu constanta dielectrică ridicată (HfO2, ZrO2, TiO2) pentru aplicații de micro-, opto- și nanoelectronică și de senzori optici; realizarea de dispozitive demonstrator ca de exemplu senzori optici, fotodetectori VIS-NIR-SWIR, memorii nevolatile eletronice și fotoelectrice cu performanță ridicată. Efectuează cercetări aplicative și dezvoltări experimentale; expertiza în investigații avansate (incluzând procesarea de date experimentale și interpretarea rezultatelor) de proprietăți electrice și fotoelectrice (curent-tensiune I – V la diferite temperaturi T, în regim de curent continuu și curent alternativ; I – T și R – T la diferite tensiuni aplicate; caracteristici spectrale ale fotocurentului I– λ în regim de lumină modulată și continuă la diferite temperaturi) în corelație cu structura cristalină, morfologia și compoziția; expertiza în investigații avansate (incluzând procesarea de date experimentale și interpretarea rezultatelor; realizarea de montaje experimentale) de proprietăți de memorie (capacitate-tensiune C – V, capacitate-frecvență C – f și capacitate-timp C – t și de proprietăți feroelectrice (polarizare-tensiune P – V) în corelație cu structura cristalină, morfologia și compoziția; expertiza în crearea de pachete informatice de achiziție de date pentru instalațiile de măsurări.
CS
Poziția 1
Cerințe specifice: expertiză metode de micro fabricație folosind facilitați litografice, caracterizare dispozitive semiconductoare; dezvoltarea proceselor de fabricație de dispozitive electronice bazate pe nanostructuri semiconductoare, caracterizare și modelare dispozitive semiconductoare bazate pe nanostructuri.
Poziția 2
Cerințe specifice: Fizică teoretică – structura electronică a sistemelor bidimensionale (2D), fermioni Weyl, chiralitate, metode de rezolvare a ecuației Dirac, comportare în câmp magnetic și în câmp de radiație; Metode experimentale de sinteză și caracterizare a sistemelor 2D, suprafețelor și interfețelor.
Poziția 3
Cerințele specifice: Măsurări electrice (caracteristici curent-tensiune I – V, dependența curentului de întuneric de temperatura I – T, capacitate – tensiune C – V, polarizare – tensiune P – V) și măsurări fotoelectrice în regim de lumină modulată și continuă (curent-tensiune I – V și curent-temperatură I – T, distribuție spectrală a fotocurentului Iph – λ la diferite temperaturi) pe straturi și structuri din sistemul SiGeSn (grupa a IV-a) și pe de oxizi cu constantă dielectrică ridicată; Procesare și interpretare de date experimentale privitoare la proprietățile electrice și fotoelectrice corelate cu structura cristalină, morfologia și compoziția; Dezvoltare și actualizare de softuri de achiziție de date (LabVIEW, Python) pentru lanțurile de măsurări și pentru automatizarea măsurărilor; Efectuare de calcule atomistice folosind teoria funcționalei de densitate DFT (utilizând programe specializate precum SIESTA și Quantum Espresso și infrastructura de calcul HPC din INCDFM) pe structuri de nanocristale din sistemul SiGeSn cu diverse concentrații ale componentelor (SixGeySn1-x-y), având ca principal scop determinarea benzii interzise a nanocristalelor și optimizarea fotosensibilității în VIS-SWIR ale filmelor și structurilor pe baza de SixGeySn1-x-y nanocristalin; participare la corelarea rezultatelor experimentale cu rezultatele obținute din calcule DFT; Calcule atomistice folosind teoria funcționalei de densitate pe structuri cu proprietăți feroelectrice pe baza de HfO2 și ZrO2 nedopate sau dopate (calcule de energie de formare a fazelor cristaline și calcule de polarizare, evidențiind faza feroelectrică); participare la corelarea rezultatelor experimentale cu rezultatele obținute din calcule DFT.
Poziția 4
Cerințe specifice:Depuneri de filme subțiri semiconductoare și dielectrice pe suport încălzit sau menținut la temperatura camerei (RT) prin metoda pulverizării cu magnetron în vid înalt (10-8 Torr); Efectuarea de tratamente termice rapide (RTA) pentru nanostructurare în mediu inert și în atmosferă de oxigen sau hidrogen, pentru oxidare și reducere controlate și de asemenea, tratamente post-metalizare, folosind echipamentul de procesare termică rapidă; Depuneri de contacte metalice prin evaporare termică; Participă la etapele de preparare/fabricare (depunere, nanostructurare și contacte electrice) specifice nanomaterialelor și nanostructurilor avansate pe bază de materiale din grupa a IV-a (Si, Ge, SiGe, SiGeSn) și oxizi cu constantă dielectrică ridicată (HfO2 și TiO2) precum și la realizarea dispozitivelor demonstrator (pe baza acestor materiale) pentru aplicații de nano- și optoelectronică (exemplu: senzori optici și fotodetectori cu sensibilitate ridicată în domeniul SWIR); Efectuează cercetări avansate (experimente și procesare de date) de proprietăți electrice la întuneric și fotoelectrice (în lumină modulată) ca de exemplu caracteristici curent-tensiune I – V la diferite temperaturi T și de curent-temperatură I – T, caracteristici spectrale ale fotocurentului I– λ în regim de lumină modulată și continuă la diferite temperaturi; interpretarea rezultatelor în corelație cu structura cristalină, morfologia și compoziția nanomaterialelor și nanostructurilor/dispozitivelor menționate; Efectuează caracterizări structurale, de morfologie și de compoziție folosind spectrometrul μ-Raman.
Poziția 5
Sarcini specifice; Cunoștințe de fizică teoretică în domeniul fizică atomică; Cunoștiințe de programare, limbaje Fortran, C++, Python, Mathematica; Dezvoltare de programe de calcul pentru caracterizarea și calcularea proprietăților structurii atomice prin metode de câmp mediu; Dezvoltarea de programe de calcul pentru obținerea de funcții de undă relativiste ale electronilor în câmpuri atomice sau câmpuri generate de corpul solid; Dezvoltarea de modele teoretice și computaționale pentru descrierea sistemelor atomice cu mai mulți electroni, cu includerea diferitelor efecte atomice (efecte de suprapunere (overlap) și de schimb, radiative, interacție magnetică, procese de shake-up și shake-off, etc.) .
Calendarul pentru desfășurarea concursului este următorul:
Activitate Perioada